台积电开始筹建Fab 18:5nm制程,2020年初批量生产

台积电上周举行了Fab 18第一阶段生产设施的奠基仪式, 该工厂将从2020年初开始采用台积电5nm工艺生产芯片。当三期工程全部完成后,生产能力将超过每年100万片300毫米晶圆,与台积电运营的其他三座晶元制造厂相当。

台积电的Fab 18将位于台湾南部科学园区,分三期建成。 第一阶段的建设将在大约一年后完成,之后台积电将在2019年初的某个时间进行设备迁移,在2020年后开始基于第一阶段厂区批量生产5nm芯片。第二阶段和第三阶段的建设将于2018年第三季度和2019年第三季度开始,分别将于2020年和2021年开始投产。

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制造商表示,Fab 18的总建筑面积为95万平方米,洁净室面积将超过16万平方米。 台积电估计,Fab 18全部三期产能的合并产能将超过每年100万片300毫米晶圆,这与台积电运营的其他三座晶元制造厂Fab 12、Fab 14和Fab 15 的产能相当。值得注意的是,Fab 18的规划建筑面积和洁净空间将远远大于最初规划的FAB 15的地面和洁净室面积,该区域强调了目前IC制造的复杂性,同时也增加了TSMC客户的订单。总而言之,Fab 18将耗资5000亿台币(合170.8亿美元),使之成为世界上最昂贵的芯片制造设备之一。

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除了尺寸和成本之外,Fab 18对于半导体行业来说非常重要的另外一个原因是,它将成为全球首批使用5nm生产技术生产芯片的设备之一。台积电尚无法详细介绍其5nm制造技术,从该公司所做的公告显示,该制造工艺将显着依赖于EUV光刻技术,但台积电在新闻发布会上根本没有提到EUV。与此同时,去年半导体厂商确实提到5nm制造技术将是其第二代EUV工艺,这意味着与CLN7FF +相比,EUV在更多层面上的使用。此外,台积电已经拥有采用CLN5FF技术制造的功能型SRAM单元,产量在2017年年中令人满意。因此,5nm的发展过程似乎进行得相对较好。

EUV扩展5nm芯片的使用意味着该公司将需要在Fab 18中安装更多的EUV工具,这就是为什么它需要扩大工厂的洁净室空间的原因之一。台积电开始筹建Fab 18的事实表明,芯片合约制造商对其5nm技术以及EUV设备(包括ASML的TWINSCAN NXE扫描仪,Cymer的EUV光源和其他工具)充满信心。他们打算在2020年初开始在Fab 18上大批量生产5nm器件,进一步凸显了这种信心。

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责任编辑:子夜梦的死寂
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