发力Micro LED显示技术,重庆康佳光电产业园开建

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来源: LEDinside

昨日(10月31日),总投资300亿元的重庆康佳半导体光电产业园在璧山国家高新区正式开工建设。

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今年6月中旬,康佳集团发布公告宣布与重庆市璧山区人民政府签署了《合作框架协议》和《工业项目投资合同》 ,合作协议约定康佳拟在重庆市璧山区建设重庆康佳半导体光电产业园。

据悉,该产业园项目瞄准Micro LED等新型显示技术。项目计划分三期建设:其中,一期将建设新一代移动显示设备、无屏显示光机、智能控制系统解决方案、Micro LED项目;二期建设光电产业研究院、Micro LED下一代显示技术项目;三期建设Micro LED显示屏及终端产品、投影电视及配件、相关家电产品等项目。

昨日,重庆康佳半导体光电产业园正式动工。据康佳集团总裁周彬介绍,该产业园项目占地266.8亩,总建筑面积约21.35万平方米,一期将建立光电研究院及试产线,二期将建立光电产业基地,预计项目满产后将形成一个超过千亿元规模及全球领先的光电技术中心。

同时,重庆康佳光电技术研究院在璧山CBD揭牌成立。双方将以重庆康佳光电技术研究院为核心,带动上游原材料、零部件、设备制造、新一代显示及消费应用产品等相关产业的发展,打造完整生态链。

发布会上,康佳推出Micro LED电视Smart Wall,Smart Wall使用超过一亿颗Micro LED芯片,可实现2000nits的超高亮度,10,000,000:1的超高对比度以及147%的超广色域。这一系列大动作表明了康佳正在大力投入5G、半导体、物联网、新一代显示技术等自主创新领域。

随着超高清视频产业时代、智能物联网时代及5G通讯时代等的来临,Micro LED等新型显示技术成为众多厂商追求的目标,近年来加入布局的玩家有增无减,共同推动Micro LED技术的发展。虽然实现Micro LED的商业化仍需克服许多技术和成本挑战,但从相关领先厂商的开发进展来看,Micro LED大规模量产的时间并不远。

LEDinside最新研究报告《2019 Micro LED次世代显示关键技术报告》显示,Micro LED技术虽面临众多的挑战,但对比两年前,目前的技术进展已经进步许多,早期的专利技术已经有实体样品展示机的出现,未来Micro LED商品化的时程将随着Micro LED技术的成熟而加快。

在昨日的发布会上,康佳就邀请了2014年诺贝尔物理学奖得主中村修二先生来发表对于Micro LED 显示器前景的看法以及目前该实验室的技术进展。

中村先生表示,要实现全彩化的Micro LED显示器,需要红,蓝,绿三色LED的搭配,但是红光LED属于AllGaP材料,有别于蓝绿光的InGaN材料,生产难度与效率都偏低。同时,电流驱动不同的材料上也有很多挑战。因此,在InGaN材料上生长红光LED方面,该研究团队正在进行研发,并取得了初步成果。

此外,Micro LED的各种特性指标都远胜OLED,然而急需克服的就是成本的挑战。而为了降低成本,在微缩LED芯片尺寸的过程中,也会导致LED效率的同步下降。目前该研究团队已经开发出10μm芯片大小,EOE效率达到42%的全球领先指标。

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